據《日刊工業新聞》報道，日本東京大學與理化學研究所、東北大學、原子能研究機構等合作研究，成功地將自然界存儲豐富的鐵硅化合物應用于不使用電源也能保持記憶的“非揮發性存儲”信息記憶技術。研究發現，鐵硅化合物的表面與晶體內部不同，具有與磁鐵相同性質，可通電。這一成果將有助于電子器件的省電化和高功能化。
以前，鐵硅化合物因結晶內部沒有磁鐵的性質不處于能通電的狀態，被認為不適用于電子器件的應用。但研究對鐵硅化合物表面狀態進行研究時發現，在其表面下約0.3納米內的極淺層存在磁鐵和通電特性。進一步的研究表明，電流可以控制磁化方向。因此，鐵硅化合物可以應用于利用磁化方向記憶信息并通過電流高速控制的非易失性存儲器。
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2025-2031年中國高帶寬存儲器行業市場發展規模及投資趨勢研判報告
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