半導體行業周刊：加強半導體技術攻關，全力推動產業集群化

【重點政策】深圳寶安區印發《寶安區2024年國民經濟和社會發展計劃》，加速打造半導體產業集群

4月3日，深圳市寶安區發展和改革局印發《寶安區2024年國民經濟和社會發展計劃》（以下簡稱《發展計劃》）。

《發展計劃》提出，實施“5+1+N”產業集群發展戰略，出臺半導體與集成電路、智能網聯汽車等8個專項政策，新涌現1個千億集群、兩個500億集群，戰新產業增加值占GDP比重突破50%。全市高端裝備、新材料產業集群基金成功落戶。重投天科第三代半導體項目試投產，半導體封測集群入圍省中小企業特色產業集群。

點評：近年來，在巨大的市場需求、豐厚的人口紅利、穩定的經濟增長等優勢條件推動下，國內各省市地方政府對于半導體產業發展關注度日益提升，在中央政策支持引導下，各地區半導體相關政策陸續出臺，為我國半導體產業發展奠定良好基礎，全國半導體行業規模得以加速擴容。據中國半導體行業協會統計，我國半導體行業銷售額由2017年的7885億元增長至2022年的13839億元，年均復合增長率達11.91%；2023年，國內半導體市場規模約增長達15009億元。

目前，面對技術工藝發展日益成熟的半導體市場，產業集群化成為推動半導體產業高質量發展的必行之路?！栋l展計劃》的出臺，說明深圳市寶安區政府已將半導體集群化發展列為本區2024年社會經濟發展推進的重心之一。未來一年內，深圳市寶安區政府將根據《發展計劃》的發展規劃，充分結合市場發展情況，對區內半導體產業作出更為詳細、精準的發展計劃，積極推動轄區內在建半導體項目試產投產的同時，加強政府招商引資力度，實施“5+1+N”產業集群發展戰略，引入更多優秀的半導體企業，且引導相關企業就近、集群落戶，加速打造寶安區半導體產業集群化高地，進一步降低區內半導體產業生產成本、提高行業生產效率，以持續推動深圳市甚至是全國半導體產業的發展。

圖1：2017-2023年中國半導體行業銷售規模變化（單位：億元）

資料來源：中國半導體行業協會、智研咨詢整理

【重點政策】江蘇無錫發布《無錫市強化企業科技創新主體地位行動方案》，不斷提升半導體科技創新孵化能力

4月2日，在江蘇省無錫市人民政府舉行的新聞發布會上，無錫市人民政府辦公室正式發布《無錫市強化企業科技創新主體地位行動方案》（以下簡稱《行動方案》）。

《行動方案》重點提出，以新建成投用科創載體為重點，圍繞人工智能、量子科技、第三代半導體、合成生物等我市未來產業領域，強化專業團隊引領、專業平臺支撐、專業基金賦能，支持科技領軍企業、高校院所、投資機構等主體建設一批專業化程度高、孵化成效好、產業帶動性大、示范引領性強的標桿型眾創空間與孵化器。支持具備較好科技產業基礎的各類開發區、科技新城、科創片區，立足自身資源稟賦，高標準建設一批集創新、創業、產業、文化和社區等功能有機融合的科創綜合體。到2027年，新增市級以上眾創空間、科技企業孵化器200家、省級以上科技企業孵化器20家，建成10家地標型科創綜合體。

【重點事件】晶存科技存儲芯片制造總部項目落戶中山三鄉

4月3日，深圳市晶存科技有限公司（以下簡稱“晶存科技”）、三鄉鎮人民政府、中山市投資控股集團有限公司（以下簡稱“中山投控”）在三鄉鎮政府舉行晶存科技存儲芯片制造總部項目簽約儀式。接下來，晶存科技將投資超10億元在中山市半導體產業園建設存儲芯片測試線和先進封裝工藝線，該項目也將成為晶存科技存儲芯片制造總部項目。

對晶存科技而言，這一定位未來的總部項目落地，意味著企業聚焦集中化、智能化打造一個年產值50億元的生產總部。

對中山而言，晶存科技的重磅布局，不僅能促進三鄉當地的產業轉型升級，更能憑借其深厚的技術和行業積累，吸引更多產業鏈上下游企業和優秀人才，進而助推半導體產業與創新資源集聚，助力中山打造新一代信息技術產業集群，發展新質生產力。

【重點事件】惠然科技半導體量測設備總部項目落地無錫濱湖

4月1日，惠然科技半導體量測設備總部項目正式簽約落地濱湖。該項目由惠然科技有限公司投資，包含公司總部、上市主體以及新設立的半導體量測設備研發生產基地，總投建金額達10億元，將為濱湖乃至無錫深化集成電路產業鏈布局、健全集成電路產業“生態圈”注入新動能。

【重點事件】長春經開光電信息產業園二期項目預計6月竣工

4月2日，長春新聞報道，長春經開光電信息產業園二期項目產業孵化大廈的外墻裝飾工作已經基本完成，室內裝飾正在同步施工。相關負責人透露，項目預計今年6月竣工，主要承載CMOS圖像傳感器產業集群發展及孵化，助力長春市光電產業集群式發展。

據了解，長春光電信息產業園是由中國科學院長春光機所牽頭，在長春市人民政府、長春經濟技術開發區管理委員會支持下建設的專業化特色科技產業園。目前，長春經開區光電信息產業園區一期項目已經建成投入使用，二期項目占地21000平方米，總投資11.4億元。投用后，主要承載CMOS圖像傳感器產業集群發展及孵化，將圍繞長光辰芯、長光華大、長光正圓等頭部企業的上下游企業進行精準招商，進一步打造光電信息產業集聚區，助力長春市新興產業發展和轉型升級。

【重點技術】華東理工大學自主研發通用晶體生長技術，國內新型半導體材料庫進一步豐富

4月6日，華東理工大學宣布，校內清潔能源材料與器件團隊自主研發了一種鈣鈦礦單晶晶片通用生長技術，將晶體生長周期由7天縮短至1.5天，實現了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導體的低溫、快速、可控制備，為新一代高性能光電子器件提供了豐富的材料庫。相關成果發表于國際學術期刊《自然·通訊》。

【重點技術】北京大學申請半導體結構專利，實現源漏互連時的自對準

4月6日，國家知識產權局公告顯示，北京大學申請一項名為“半導體結構的制備方法、半導體結構及半導體器件”的專利，公開號CN117832173A，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本申請提供一種半導體結構的制備方法、半導體結構及半導體器件，上述方法包括：提供一形成有鰭狀結構的襯底；其中，鰭狀結構包括在第一方向上排布的器件區和場區；去除鰭狀結構中位于場區的第一部分，保留場區的第二部分；基于鰭狀結構的上部，形成第一半導體結構，第一半導體結構包括第一源漏結構、第一源漏金屬和第一層間介質層；倒片并去除襯底，以暴露鰭狀結構的下部；去除場區的第二部分，以暴露第一層間介質層；基于鰭狀結構的下部，形成第二半導體結構，第二半導體結構包括第二源漏結構、第二源漏金屬和第二層間介質層；第一層間介質層和第二層間介質層中形成有互連通孔結構；互連通孔結構與第一源漏金屬、第二源漏金屬連接。

【重點技術】華中科技大學與九峰山實驗室聯合突破光刻膠技術瓶頸

4月2日，據湖北九峰山實驗室官方消息，九峰山實驗室與華中科技大學組成的聯合研究團隊在光刻膠技術領域取得了重大突破，成功研發出“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術。

光刻膠是半導體制造過程中不可或缺的關鍵材料，其質量和性能直接影響到集成電路的電性、成品率及可靠性等核心指標。然而，長期以來，能夠滿足工藝穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品并不多見，這成為了制約我國半導體產業進一步發展的瓶頸之一。

華中科技大學與九峰山實驗室的聯合研究團隊，通過巧妙的化學結構設計，構建出新型的雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠。這種光刻膠通過兩種光敏單元的協同作用，實現了光酸的快速生成和高效催化，從而實現了高精度、高分辨率的圖案轉移。

目前，這項技術的研發成果已經在國際頂級期刊《化學工程雜志》上發表，并獲得了國家自然科學基金和973計劃的共同資助。

華中科技大學與九峰山實驗室的這次聯合突破，不僅展示了我國科研團隊在光刻膠技術領域的深厚積累和創新能力，也為我國半導體產業的發展提供了新的技術支撐。未來，隨著這項技術的進一步推廣和應用，相信將有力推動我國半導體產業向更高水平邁進，為國家的科技進步和經濟發展做出更大的貢獻。

【重點企業】鑫威源大功率藍光半導體激光器產業化項目竣工

4月1日，鑫威源大功率藍光半導體激光器產業化項目竣工儀式在大橋智能制造產業園舉行。

據悉，大功率藍光半導體激光器產業化項目由武漢鑫威源電子科技有限公司總投資10億元打造，廠房面積一萬余平方米，主要建設基于半導體化合物（GaN）技術的大功率藍光半導體激光器生產線。目前，已完成廠房及配套裝修，正在進行各類設備儀器調試，計劃2025年1月正式投產。

資料顯示，鑫威源是新興光電子行業高科技企業，主要圍繞大功率藍光半導體激光器相關材料、芯片、封裝及產品的設計、研發、制造與銷售。上述項目投產后，將彌補國內高端光器件研發及生產領域的不足，解決我國在關鍵技術領域的“卡脖子”問題，為國產替代做出重要貢獻，具有顯著的經濟與社會效益。

【重點企業】偉測科技擬發行不超11.75億可轉債

4月2日，偉測科技發布公告稱，公司擬向不特定對象發行可轉債募資不超過11.75億元，扣除發行費用后用于偉測半導體無錫集成電路測試基地項目、偉測集成電路芯片晶圓級及成品測試基地項目、償還銀行貸款及補充流動資金。

根據公告，偉測科技本次募投項目主要用于現有主營業務集成電路測試業務的產能擴充，重點擴充“高端芯片測試”和“高可靠性芯片測試”的產能，提高公司集成電路測試服務的效率和交付能力，有利于優化公司收入結構，增強公司在芯片測試領域的市場競爭力，提高公司市場份額。

【重點企業】星思半導體完成超5億元B輪融資，持續關注低軌衛星通信領域

4月7日，星思半導體完成超5億元B輪融資，本輪投資方包括中電數據基金、鼎暉香港基金、藍盾光電、華創資本、朗潤利方、興鼎基金、浙江雷可澳等，老股東沃賦創投繼續追加投資。星思半導體是一家平臺型基帶芯片設計企業，本輪融資完成后，公司將繼續加大在低軌衛星通信領域全套解決方案的投入，保障和支撐衛星互聯網重大戰略項目。

【重點企業】安建半導體完成超2億元C輪融資，不斷加大產品技術研發

4月7日，安建半導體完成超2億元C輪融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領投，龍鼎投資、一元航天及萬創投資跟投。募集資金將主要用于開發及量產汽車級IGBT與SiC MOS產品平臺；擴建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產線；擴充銷售及其他人才團隊；增加營運現金流儲備等。

【重點企業】科友和俄羅斯N公司達成合作，開展“完美八英寸碳化硅籽晶”項目

4月3日，科友半導體宣布，公司于3月27日與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰略合作協議，開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項目合作。據稱，俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制方面有著豐富的研究經驗，在相關領域發表高水平文章及期刊百余篇。

科友半導體表示，通過與俄羅斯N公司的合作，他們將研發獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，應用品質優異的籽晶進行晶體生長，會進一步大幅降低8英寸碳化硅晶體內部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質量和良率，并推動碳化硅長晶爐體及工藝技術的優化與升級。

此前，科友半導體8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上。2022年底，科友半導體在通過自主設計制造的電阻長晶爐產出直徑超過8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無缺陷。此外，在今年3月，科友半導體成功拿下了超2億元的出口歐洲SiC長訂單，首批產品將在4月交付；并且順利通過“國際汽車特別工作組質量管理體系”（IATF16949）認證，進軍新能源汽車芯片襯底市場。

【重點企業】天科合達北京工廠招標8英寸量產設備

4月2日中國國際招標網公布信息顯示，天科合達北京基地正在招標8英寸襯底量產線設備，包含加工產線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測試設備等產品。表明天科合達將進一步布局8英寸量產產能。據悉，在今年3月20日舉行的SEMICON China 2024展會上，天科合達就已經展出了公司的8英寸導電襯底（500um），8英寸導電襯底(350um)和8英寸的外延片產品。天科合達表示公司將打造襯底+外延的一體化解決方案，提供豐富的產品組合，為客戶提供更全面的保障和服務。

【重點企業】江豐電子與韓國牙山市政府成功簽約，共建現代化半導體材料生產基地

4月2日，江豐電子宣布，公司與韓國牙山市政府成功簽署了投資合作協議，計劃投資3.5億元在牙山市新建一座現代化的半導體靶材生產工廠。這一合作協議的簽署標志著雙方在半導體領域的合作正式進入實質性階段。建成后的工廠將專注于高端半導體靶材的研發、生產和銷售，致力于提供高品質、高性能的半導體材料。

【重點事件】臺積電將與日本九州大學簽訂諒解備忘錄，共同培育半導體人才

4月1日消息，臺積電與日本九州大學雙方計劃于本月就半導體領域的廣泛合作簽署諒解備忘錄。根據即將簽署的諒解備忘錄內容，臺積電將向九州大學的“價值創造型半導體人才育成中心”派遣研究人員授課，以解決該領域的人才短缺問題。雙方還將考慮在未來開展聯合研究。

【重點事件】晶圓代工領域“新貴”Rapidus獲日本政府高額補貼

4月2日，日本批準向芯片企業Rapidus公司提供高達5900億日元（約合39億美元）補貼，幫助Rapidus購買芯片制造設備，并開發先進后端芯片制造工藝，為日本在半導體制造業實現趕超雄心投入更多資金。這家成立僅19個月的初創公司已獲得數十億美元政府資金。這些撥款旨在恢復日本昔日芯片制造實力。

【重點事件】韓國釜山計劃新建2座8英寸SiC/GaN工廠

4月6日，據韓媒報道，韓國釜山市正計劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導體生產設施，最快將于明年下半年開始。據悉，釜山市政府計劃投資400億韓元（約合人民幣2.2億），在東南地區—放射線醫科學產業園區增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半導體生產設施，該項目已獲得國家及市級基金資助。

其次，他們將在機張郡成立一座新的功率半導體技術研究所，該研究所將接管位于功率半導體商業化中心（PSCC）的6英寸功率半導體生產設施，并安裝運營新的8英寸生產設施，支持入駐企業開展1700V級高壓器件技術研發等技術工作，同時開展盈利業務，計劃于明年下半年開始建立。

與此同時，位于功率半導體商業化中心（PSCC）的20多家半導體公司還計劃投資1.1萬億韓元（約合人民幣60億），以打造下一代功率半導體生態系統。

【重點企業】鎧俠計劃在2031年量產1000層3D NAND

4月6日，據外媒Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片大廠鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。

在近日于東京城市大學舉行的第71屆應用物理學會春季會議上的演講中，Miyajima討論了在3D NAND器件中實現超過1000層的技術挑戰和解決方案。

據介紹，增加3D NAND Flash器件中的有源層數量是當今提高NAND Flash密度的最佳方法，因此所有3D NAND Flash制造商都努力每1.5到2年就推出新的工藝節點來實現這一目標。每個新節點都會帶來一些挑戰，因為3D NAND Flash制造商必須增加層數并橫向和縱向縮小NAND Flash單元。這個過程要求制造商在每個新節點都采用新材料，這是一項重大的研發挑戰。

如今，鎧俠最好的3D NAND Flash器件是第八代BiCS 3D NAND Flash，具有218個有源層和3.2 GT/s接口（于2023年3月首次推出）。這一代引入了一種新穎的CBA（CMOS直接鍵合到陣列）架構，該架構涉及使用最合適的工藝技術單獨制造3D NAND Flash單元陣列晶圓和I/O CMOS晶圓并將它們鍵合在一起。其結果是產品具有增強的位密度和改進的NAND I/O速度，這確保了內存可用于構建最好的SSD。

與此同時，鎧俠及其制造合作伙伴西部數據（Western Digital）尚未披露CBA架構的具體細節，例如I/O CMOS晶圓是否包括額外的NAND外圍電路（如頁緩沖器、讀出放大器和電荷泵）。通過分別生產存儲單元和外圍電路，制造商可以為每個組件利用最高效的工藝技術，隨著行業向串堆疊等方法發展，制造商將獲得更多優勢，串堆疊肯定會用于1000層3D NAND。

【重點企業】SK海力士與美國印第安納州簽約先進后端工藝領域投資合作

4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲器先進封裝生產基地，同時與美國普渡（Purdue）大學等當地研究機構進行半導體研究和開發合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。