英國國家物理實驗室（NPL）和薩里大學研究團隊開發了一種單步程序，使單晶硅承受創紀錄的更大應變，這一進展或對硅光子學發展起到重要作用。論文發表在《Physical Review Materials》雜志上。
硅光子學是物聯網背后技術的基礎。該團隊利用離子注入對硅膜施加應變，其方式類似于收緊鼓皮，應變通過改變其電子結構來增強硅的發光能力。然后，使用稱為電子背散射衍射（EBSD）的掃描電子顯微鏡技術來測量應變膜的形狀和結構，拍攝電子如何從膜上反彈（“反向散射”）的照片，并檢查高應變是否均勻地施加在膜上且不會在材料中產生意外的缺陷。
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2025-2031年中國單晶硅行業市場供需態勢及發展前景研判報告
《2025-2031年中國單晶硅行業市場供需態勢及發展前景研判報告》共六章，包含中國單晶硅行業應用領域分析，國內外單晶硅行業領先企業分析，中國單晶硅行業發展前景與投資戰略分析等內容。
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