2023年中國存儲芯片行業發展現狀分析：下游市場發展態勢良好，推動存儲芯片市場需求加快釋放[圖]

內容概要：存儲芯片又稱為半導體存儲器，主要是指以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，通常用于保存二進制數據的記憶設備。2022年全球存儲芯片市場規模為1297.67億美元，我國存儲芯片行業市場規模較上年同期下降5.9%，達到5170億元，主要是受消費電子市場需求疲軟等因素的影響。隨著新一輪人工智能浪潮的爆發以及國內消費電子市場的快速發展，未來我國存儲芯片的市場規模將會逐漸增長，預計2023年我國存儲芯片市場規模將增長至5400億元。

關鍵詞：存儲芯片、行業概述、產業鏈、發展現狀、競爭格局

一、行業概述：國家積極出臺相關政策，推動存儲芯片行業發展

存儲芯片又稱為半導體存儲器，主要是指以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，通常用于保存二進制數據的記憶設備，是現代數字系統的重要組成部分。存儲芯片具有存儲速度快、體積小等特點，廣泛運用于U盤、內存、消費電子、固態存儲硬盤、智能終端等領域。存儲芯片技術主要應用于企業級存儲系統的應用，為存儲協議、訪問性能、存儲介質、管理平臺等多種應用提供高質量的支持。隨著數據的快速增長以及數據對業務的重要性日益提升，數據存儲市場正經歷快速演變。存儲芯片分類較為廣泛，按照用途可將其分為主存儲芯片和輔助存儲芯片；按照斷電后數據是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。

比較存儲芯片三大產品可以看出，NAND Flash具有寫入速度快和價格較低等優勢，目前的USB硬盤、手機儲存空間以及固態硬盤（Solid State Drive， SSD）就是以NAND Flash為主流技術。盡管NOR Flash具有讀取速度快，但寫入的速度慢、價格也比NAND Flash貴。DRAM具有存儲時間短、讀寫速度快等優勢，但單位成本較高，主要用于手機內存、服務器以及PC內存等設備等。

在1958年和1959年，美國的兩位科學家分別發明了第一塊鍺集成電路和硅集成電路，這一突破性技術有力地推動了電子器件的微型化，為芯片行業的全面到來奠定了堅實的基礎。自1960年以來，存儲行業開始逐漸嶄露頭角，按照產品周期，存儲行業可以被劃分為三個主要的階段。在第一個階段，也就是在1990年以前，DRAM成為存儲芯片市場上的主要產品，主導著整個市場的發展。第二個階段是從1990年至2000年。在這個階段中，NOR Flash開始逐步占據一定比例的市場份額，成為存儲市場中的重要角色。第三個階段是2000年以后。在這個階段中，NAND Flash開始爆發式增長，成為存儲市場中的主導力量。到了2005年，NAND Flash總發售容量已經超過了DRAM?？偟膩碚f，自20世紀50年代以來，隨著技術的不斷進步和市場需求的不斷變化，存儲行業經歷了不同階段的發展，如今已成為信息技術領域中的重要支柱。

近年來，國家大力支持存儲芯片行業的發展，并出臺相關政策。例如，2020年8月，國務院印發《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的通知》，提出聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術、集成電路關鍵材料集成電路設計工具、基礎軟件、工業軟件、應用軟件的關鍵核心技術研發，不斷探索構建社會主義市場經濟條件下關鍵核心技術攻關新型舉國體制。2023年6月，工信部等五部門印發《制造業可靠性提升實施意見》，提出要重點提升電子整機裝備用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化鎵/碳化硅等寬禁帶半導體功率器件、精密光學元器件、光通信器件、新型敏感元件及傳感器、高適應性傳感器模組、北斗芯片與器件、片式阻容感元件、高速連接器、高端射頻器件、高端機電元器件、LED芯片等電子元器件的可靠性水平。

二、產業鏈：上游原材料供應充足，為存儲芯片發展提供穩定保障

存儲芯片產業鏈上游主要是原材料和半導體設備，其中，原材料主要包括硅片、光刻膠、拋光材料、電子特種氣體等；半導體設備主要包括光刻機、刻蝕設備、清洗設備、PVD、CVD等。產業鏈中游主要為存儲芯片制造及封裝，常見的存儲芯片包括NOR閃存芯片、NAND閃存芯片和DRAM等。產業鏈下游主要為存儲芯片應用領域，主要包括消費電子、信息通信、汽車電子等。

半導體硅片在存儲芯片中作為主體材料，主要是實現信號的處理、存儲和傳輸。近年來，隨著我國半導體產業鏈的迅速崛起，國內半導體硅片市場規模呈現快速增長的趨勢，據統計，2022年我國半導體硅片市場規模較上年同期增長16.07%，達到138.28億元。未來，隨著下游需求的增長以及技術的不斷突破，我國半導體硅片的市場規模將保持高速增長，預計2023年市場規模將增長至164.85億元。光刻膠又稱為“光致抗蝕劑”，其作用原理是在芯片加工過程中充當抗腐蝕涂層，在存儲芯片中主要起到抗腐蝕保護作用。當前，我國光刻膠產業鏈初見雛形，上游原材料、中游成品制造再到下游應用均在逐步完善，加上下游需求增加的推動下，我國光刻膠市場規模持續增長。據統計，2022年我國光刻膠市場規模較上年同期增長5.68%，達到98.6億元，預計2023年我國光刻膠市場規模增長至109.2億元。濺射靶材在存儲芯片中主要用作金屬導線，將數以億計的微型晶體管相互連接，從而傳遞信號。濺射靶材下游應用領域廣泛，其中，信息存儲占比29%；半導體芯片占比10%。近年來，在技術創新的推動下，芯片等產業需求不斷釋放，推動我國濺射靶材行業市場規模不斷擴大，據統計，2022年我國濺射靶材市場規模較上年同期增長6.76%至395億元，預計2023年將增長至431億元。

三、發展現狀：下游市場發展態勢良好，推動存儲芯片市場需求加快釋放

存儲芯片作為半導體產業第二細分市場，其市場規模僅次于邏輯芯片，行業景氣度受供需關系影響較大，并呈現出較強的周期性。根據世界半導體貿易統計組織（WSTS）的數據，2022年全球半導體市場規模較上年同期增長3.27%，達到5740.84億美元，創歷史新高。集成電路市場規模為4744.23億美元，占比為82.64%，其中，存儲芯片市場規模為1297.67億美元，占整個半導體行業的22.6%，從這一數據可以看出，存儲芯片在整個半導體產業鏈中貢獻的價值量較大。盡管整體上存儲芯片市場和半導體市場歷史周期走勢保持一致，但存儲芯片對于市場的周期變化反應先于整體半導體市場，其波動性也大于整體半導體市場。2023年上半年，全球半導體下行周期持續，整體市場需求呈現疲軟態勢。然而，隨著物聯網、5G通信、汽車電子等下游領域的快速發展，存儲芯片市場需求仍在持續增長，從中長期來看，市場對存儲芯片的需求仍將保持增長態勢。

WSTS數據統計，2022年全球存儲芯片市場規模較上年同期下降15.63%至1297.67億美元，其中，NAND Flash市場規模為601億美元；DRAM市場規模為791億美元，主要原因在于消費類終端出貨量有所下滑，22022年PC出貨量和智能手機出貨量分別下滑13%和9%。盡管消費類終端設備出貨量下降，導致全球存儲芯片市場規模有所下滑，但各類終端設備搭載存儲平均容量略有增長，2022年全球NAND Flash容量增長了6%，達到了6100億GB；全球DRAM容量增長2%，達1900億GB。消費電子市場對于存儲行業來說依舊是重要的增長市場之一，未來，隨著線上業務的不斷發展以及海量數據的持續增長，全球存儲芯片市場也將迎來新一輪的需求變化。WSTS預測，2023年全球存儲芯片市場將加速筑底，隨后將迎來上升周期，并預測2023年和2024年全球存儲芯片市場規模將分別為840.41億美元和1203.26億美元。

DRAM、NAND Flash和NOR Flash在不同的容量區間內具有各自獨特的性能和成本優勢，從而滿足了不同應用領域的存儲需求。在全球范圍內，DRAM和NAND Flash是存儲芯片市場的主要產品，其中DRAM占據了最大的市場份額，占比高達57%。與此同時，NAND Flash的市場份額也達到了40%。相比之下，NOR Flash的市場份額相對較小，僅占1%。

存儲芯片行業屬于技術密集型產業，對技術和研發要求較高。全球存儲芯片市場主要集中在韓國、日本和美國等國家，這些國家擁有先進的生產技術和研發能力，能夠生產出高性能、高可靠性的存儲芯片產品。由于我國存儲芯片行業起步較晚，缺乏技術積累和核心知識產權，國內廠商在存儲芯片領域的發展相對較為滯后。然而，近年來，我國政府加大了對半導體產業的支持力度，推動國內存儲芯片產業發展。盡管目前存儲芯片產業整體發展與國外市場相比仍存在差距，但隨著國內廠商技術的不斷突破，存儲芯片市場有望迎來發展黃金期。據統計，2018-2022年，我國存儲芯片行業市場規模整體呈現上漲趨勢，2019年受到全球存儲器行業的影響，市場規模有所下降。據統計，2022年我國存儲芯片行業市場規模較上年同期下降5.9%，達到5170億元，主要是受消費電子市場需求疲軟等因素的影響。隨著新一輪人工智能浪潮的爆發以及國內消費電子市場的快速發展，未來我國存儲芯片的市場規模將會逐漸增長，預計2023年我國存儲芯片市場規模將增長至5400億元。

存儲芯片是電子系統的基礎核心元件，其下游應用非常廣泛，主要包括手機等消費電子以及汽車電子等。近年來，我國手機產量較為穩定，總體保持在15億臺左右。據統計，2023年1-10月，我國手機產量較上年同期增長1.6%，達到12.48億臺，2023年1-9月，我國手機出貨量較上年同期增長2.2%，達到2億部，主要原因在于我國電子信息制造業生產持續回升，投資穩定增長。受到新能源汽車的影響，汽車電子化程度持續提升，汽車的智能化、電動化將推動汽車電子市場規模增長。據統計，2022年我國汽車電子市場規模較上年同期增長10%，達到9783億元，主要原因在于政策經濟雙重推動，為行業持續發展提供了重要支撐，預計2023年我國汽車電子市場規模將增長至10973億元?？傮w來看，隨著存儲芯片下游領域的持續穩健發展，將直接促進存儲芯片需求的增加，從而推動存儲芯片行業的發展。

相關報告：智研咨詢發布的《中國存儲芯片行業發展動態及市場運行潛力報告》

四、競爭格局：我國主要參與低端產品市場競爭，高端產品市場由國外廠商主導

當前，全球存儲芯片市場呈現高度集中的態勢，主要包括韓國的三星和SK海力士、美國的美光和西部數據等，而在中國，長江存儲和長鑫存儲也在不斷努力，分別在NAND Flash和DRAM市場中展現出強勁的競爭實力，并在某些領域實現了重大突破，逐漸縮小了與國外原廠的差距。在全球NOR Flash市場中，中國企業兆易創新以其卓越的技術實力和市場策略，成功占據前三的位置。值得注意的是，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲（CXMT），這意味著兆易創新集團同時握有中國NOR Flash和DRAM的自主研發能力，推動了中國半導體存儲產業的發展。

從中國存儲芯片行業上市公司的業務來看，兆易創新以其卓越的領導地位和強大的技術實力，成為國內行業的領頭羊。2023年上半年，兆易創新存儲芯片業務營收為2013億元，在存儲芯片領域實力強勁。此外，北京君正存儲芯片業務營收為15億元，毛利率為36.06%，其余企業營收規模較小，均在10億元以下。盡管這些企業在存儲芯片領域取得了顯著的業績，但與全球領先的存儲芯片制造商相比，中國存儲芯片企業競爭力仍顯不足。這主要是由于中國存儲芯片企業仍處于投產初期，產品線尚未完全成熟，技術積累和品牌影響力仍有待提升。在競爭情況方面，中國存儲芯片企業主要參與低端產品市場的競爭，而高端產品市場則主要由國外龍頭廠商主導。這使得行業現有競爭者之間的競爭變得異常激烈。同時，上游國產供應商的議價能力整體一般，為國產存儲芯片企業提供了一定的成本控制空間。另外，盡管新型存儲技術不斷發展，但目前尚未具備替代DRAM或NAND閃存的能力，仍處于大規模商用的初級階段。因此，存儲芯片行業的替代品威脅相對較小。綜上所述，中國存儲芯片行業在經歷快速發展的同時，仍需不斷提升自身的技術實力和品牌影響力，以應對日益激烈的市場競爭和不斷提升的客戶需求。

以上數據及信息可參考智研咨詢（www.njjkdl.com）發布的《中國存儲芯片行業發展動態及市場運行潛力報告》。智研咨詢是中國領先產業咨詢機構，提供深度產業研究報告、商業計劃書、可行性研究報告及定制服務等一站式產業咨詢服務。您可以關注【智研咨詢】公眾號，每天及時掌握更多行業動態。